山东天岳先进科技股份有限公司sicc | 碳化硅衬底|半导体碳化硅衬底材料

产品信息

4H P型

SiC单晶衬底

4H P-type

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P型碳化硅衬底材料多用于同质外延，制备特高压功率半导体器件，
在以特高压输电为代表的智能电网及轨道交通、工业大功率电源领域广泛应用。

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基本信息

6英寸

直径 150.0mm+0mm/-0.2mm
表面取向 4°偏向<1120>±0.5°
主参考边长度 47.5mm±1.5mm
副参考边长度平行于<1120>±1.0°
Notch边取向 /
Notch边深度 /
Notch边角度 /
厚度 350.0um士25.0um
导电类型 p-type

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基本信息

8英寸

直径 200.0mm+0mm/-0.2mm
表面取向 4°偏向<1120>±0.5°
主参考边长度 Notch
副参考边长度 /
Notch边取向 <1100>±1°
Notch边深度 1mm+0.25mm/-0mm
Notch边角度 90°+5°/-1°
厚度 350.0um士25.0um
导电类型 p-type

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基本信息

12英寸

直径 300.0mm+0mm/-0.5mm
表面取向 4°偏向<1120>±0.5°
主参考边长度 Notch
副参考边长度 /
Notch边取向 <1100>±5°
Notch边深度 1mm+0.25mm/-0mm
Notch边角度 90°+5°/-1°
厚度 750.0um士25.0um
导电类型 p-type

高压大功率器件

基于p型衬底制备的SiC基IGBT（绝缘栅双极晶体管）利用双极型载流子注入产生电导调制效应，相比于传统单极器件，可显著降低高压下的导通损耗，简化电力系统，提升电能转换效率，适用于智能电网以及人工智能能源管理等高压&特高压领域。

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