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产品信息

4H 半绝缘型

SiC单晶衬底

4H Semi-Insulating

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半绝缘型SiC衬底具有较高的电阻率,常用于氮化镓异质外延、以HEMT为代表的射频器件兼备了碳化硅良好的导热性能和氮化镓在高频段下大功率射频输出的优势,广泛应用于5G基站等新一代通信领域。半绝缘型碳化硅衬底材料还具备优良的光学性能,12英寸衬底在AR眼镜等光学和穿戴电子领域有着广阔的应用前景。

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基本信息

半绝缘型
  • 晶型 4H
  • 直径（mm） 100 & 150
  • 偏角（°） 0
  • 厚度（μm） 500
  • 表面状态 Epi-ready

微波射频器件

通过在半绝缘型碳化硅衬底上生长氮化镓外延层，制得碳化硅基氮化镓外延片，可进一步制成HEMT等微波射频器件，应用于信息通讯、无线电探测等领域。

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