EN | JP
EN | JP
产品信息

4H 半绝缘型

SiC单晶衬底

4H Semi-Insulating

`
当前位置 >4H-半绝缘型衬底
天岳先进不断追求更高的晶体质量和加工质量
更好的满足客户的需求
目前可批量供应4英寸和6英寸产品
8英寸产品正在研发中

*更加详细的产品信息欢迎咨询营销团队

>联系我们

基本信息

半绝缘型
  • 晶型 4H
  • 直径（mm） 100 & 150
  • 偏角（°） 0
  • 厚度（μm） 500
  • 表面状态 Epi-ready

微波射频器件

通过在半绝缘型碳化硅衬底上生长氮化镓外延层，制得碳化硅基氮化镓外延片，可进一步制成HEMT等微波射频器件，应用于信息通讯、无线电探测等领域。

>返回

关于天岳

产品信息

知识库

新闻中心

投资者关系

企业社会责任

联系我们

招贤纳士

© 2021 Copyright SICC Co., Ltd. All Rights Reserved.   备案号：鲁ICP备11002960号-1
Top