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产品信息

4H 导电型

SiC单晶衬底

4H n-type

当前位置 > 4H-导电型碳化硅单晶衬底
天岳先进不断追求更高的晶体质量和加工质量
更好的满足客户的需求
目前可批量供应6英寸和8英寸导电型产品

*更加详细的产品信息欢迎咨询营销团队

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基本信息

导电型
  • 晶型 4H
  • 直径（mm） 150/200
  • 偏角（°） 4
  • 厚度（μm） 350/500
  • 表面状态 Epi-ready

电力电子器件

通过在导电型碳化硅衬底上生长碳化硅外延层，制得碳化硅同质外延片，可进一步制成肖特基二极管、MOSFET、IGBT等功率器件，应用在新能源汽车，轨道交通以及大功率输电变电等领域。
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