2026年4月2日，上海市宽禁带与超宽禁带半导体材料重点实验室（以下简称实验室）学术委员会成立暨第一次学术委员会会议在上海临港召开。西安电子科技大学郝跃院士、浙江大学杨德仁院士、南京大学祝世宁院士等学术委员会专家，以及上海市科学技术委员会、上海临港新片区管委会领导、上海天岳半导体材料有限公司（以下简称上海天岳）、中国科学院上海光学精密机械研究所（以下简称上海光机所）科研骨干代表参加会议。

上海市科学技术委员会副主任屈炜、上海临港新片区综合党委书记朱旭明、天岳先进董事长宗艳民及上海光机所陈卫标书记先后致辞，对实验室建设与学术委员会成立表示祝贺，希望实验室立足国家战略、服务产业需求，打造国际一流的半导体材料创新高地。

首届学术委员会由中国科学院院士、西安电子科技大学郝跃，中国科学院院士、南京大学祝世宁，中国科学院院士、浙江大学杨德仁，中国工程院院士、中国建材集团有限公司彭寿，中国科学院院士、中国科学院半导体研究所祝宁华等15位产学研专家组成。屈炜副主任为到会的专家颁发了聘书。

学术委员会会议由杨德仁院士主持。

实验室执行主任隋晓明围绕建设背景、发展定位、研究方向及重点任务作了专题汇报。实验室聚焦宽禁带与超宽禁带半导体材料，面向新一代移动通信、新能源汽车、高压输变电、具身智能、量子科技及航天工程等重点领域，开展基础理论与关键技术研究，重点突破大尺寸、高质量单晶材料制备瓶颈，构建原创技术策源地、成果孵化高地、高层次人才培养基地，为提升我国新型半导体国际竞争力提供坚实支撑。