2024年12月11日至13日，全球知名的日本国际半导体展览会SEMICON JAPAN在东京隆重举行，展会现场人流如织。来自全球的1100多家器件制造商、芯片制造商、设备供应商和材料企业，以及涉足汽车和人工智能等半导体智能应用领域的企业纷纷亮相。全球顶尖企业机构和技术专家，共同畅想半导体行业蓬勃发展的美好未来，和对快速变化的行业市场的丰富洞察。

在这场科技盛宴中，作为全球碳化硅衬底领域的领军企业，天岳先进展示了备受瞩目的12英寸导电N型碳化硅衬底，以及业内领先的高品质低阻P型碳化硅衬底及高纯半绝缘型衬底等多款全球领先产品，成为展会焦点。

• 坚持技术引领，拓展市场空间

随着全球对高性能、高效率半导体材料的需求日益增长，碳化硅（SiC）材料因其在高温、高压、高频等多种环境下的卓越性能，已成为行业发展延伸的必然趋势之一。天岳先进展示的碳化硅衬底产品和技术，成为了解最新碳化硅技术的绝佳窗口，吸引了众多客户专家访客接踵交流。

全球首枚12英寸导电N型碳化硅衬底，改写了碳化硅衬底历史，引起国际广泛关注。12英寸碳化硅衬底的面积是8英寸的2.25倍，可使用率约为8英寸的2.5倍左右，单片碳化硅片产出更多晶片。超大尺寸衬底拓宽了下游应用场景，对行业的未来应用具有里程碑式的意义。

业内领先的6英寸高质量低阻P型碳化硅衬底，已实现客户成功交付验证，极大加速高性能SiC-IGBT的发展进程，未来将会更多应用于以智能电网为代表的更高电压领域。天岳先进高质量低阻P型碳化硅衬底使用液相法制备，在长晶原理上决定了可以生长超高品质的碳化硅晶体，电阻率小于200mΩ·cm，面内电阻率分布均匀，结晶性良好。4度偏角P型衬底可以直接用于外延和器件制造，弥补了行业空缺，激发了市场的极大兴趣。

高纯半绝缘型衬底，作为高频射频器件的重要材料，正在5G基站、卫星通信、低空经济等场景中发挥重要作用，并延伸更多应用场景。产品在全球市场占有率连续五年排名前三。同样展出的8英寸无小面导电型衬底，实现了近“零TSD”和低BPD密度的制备，有效提升了晶圆制备利用率，获得车规级器件厂商的青睐。

天岳先进面向行业客户和产业链合作伙伴展示了第三代半导体领域的创新产品和技术优势，展现其在碳化硅材料领域的卓越成就

• 共同探索低碳数智未来

展期内，天岳先进也与全球同行共同探讨化合物半导体的发展趋势和应用前景。分享天岳先进在碳化硅衬底领域的最新研究成果，以及通过技术创新推动行业快速发展。通过国际交流与合作，天岳先进携手行业上下游共同探讨推进化合物半导体技术的发展进程。

• 品质为本，打造行业标杆

基于高质量标准的开放竞争是行业可持续发展的主导力量，天岳先进作为碳化硅衬底的领先供应商，将持续参与打造行业标准，为市场提供高品质产品。通过加大研发投入，推动产品性能的持续提升，同时积极参与国际标准的制定，以确保我们的技术和产品能够满足全球客户的性能品质要求。努力成为全球碳化硅衬底领域的标杆企业，引领行业走向可持续发展的蓬勃未来。

天岳先进将秉持“先进 品质 持续“的发展理念，与合作伙伴携手并进，共同构筑低碳数智未来！