2024年8月27日，山东省碳化硅材料重点实验室（以下简称“实验室”）第三次学术委员会会议在北京顺利召开。

中国工程院院士、实验室学术委员会主任干勇院士，中国科学院院士、实验室副主任江风益院士、中国科学院院士李树深、中国工程院院士凌文以及学术委员会专家、实验室学术骨干等20余位专家及领导出席了会议。

天岳先进董事长宗艳民代表实验室依托单位致欢迎辞，诚挚感谢学术委员会各位院士、专家悉心指导实验室的建设和发展。他表示，天岳先进高度重视实验室的建设、运行、管理等各项工作，殷切期盼各位专家继续给予更多的支持和战略指导，携手推动实验室建设迈向更高水平，为解决国家重大创新和产业需求做出更大贡献。

学术委员会主任干勇院士表示，新一轮科技革命和产业变革深入发展，我国新材料产业发展面临新的战略机遇，天岳抓住了市场需求爆发及国产化替代的机遇，取得了优异的成绩，同时碳化硅材料重点实验室建设要适应时代的发展，要大胆创新，敢为人先；要继续突破关键技术、完善标准体系、强化人才培育和引进，构建要素齐全、创新活跃、开放协同的产业创新生态。

实验室主任高超做年度工作总结和建设成果工作报告。他感谢专家们的长期支持和充分肯定，表示实验室将根据各位学术委员提出的建议进一步做好建设工作的规划和落实。始终对标国际先进水平，在研发、品质、人才与管理上与国际先进水平看齐，苦练内功，勇于瞄准世界创新前沿，前瞻性布局，培育新质生产力，打造核心竞争力。

讨论会上，学术委员会专家们对实验室建设取得的成绩给予高度评价。就实验室重组后的目标定位、开展的重大任务等进行了深入探讨，以深厚的学术素养、宽广的战略视野、超前的创新思考，围绕我国重大战略需求和产业发展趋势等方面，提出了富有战略性、前瞻性、建设性和指导性的“金点子”、“金钥匙”，为实验室扬帆起航、谱写新篇章汇聚起强劲动能。

本次学术年会的成功举办，为实验室搭建了展示科研成果、交流学术思想的重要平台，更为实现碳化硅半导体高质量发展奠定了坚实基础。实验室将继续深化合作，不断凝聚专家力量，激发创新活力，为推动我国宽禁带半导体产业发展做出更大贡献。