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4H 半绝缘型
SiC单晶衬底
4H Semi-Insulating
`
当前位置 >4H-半绝缘型衬底
天岳先进不断追求更高的晶体质量和加工质量
更好的满足客户的需求
目前可批量供应4&6英寸产品
8英寸产品正在研发中
*更加详细的产品信息欢迎咨询营销团队
>联系我们
基本信息
半绝缘型
晶型
4H
直径(mm)
100 & 150
偏角(°)
0
厚度(μm)
500
表面状态
Epi-ready
微波射频器件
通过在半绝缘型碳化硅衬底上生长氮化镓外延层,制得碳化硅基氮化镓外延片,可进一步制成HEMT等微波射频器件,应用于信息通讯、无线电探测等领域。
散热应用
散热一直是影响器件寿命的主要原因之一,碳化硅材料的高热导性和热稳定性特征可以更有效的传到热量,提升散热效果,优化整体系统。在热沉应用领域正在受到越来越多的关注。
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