产品信息

4H 导电型

SiC单晶衬底

4H n-type

当前位置 > 4H-导电型碳化硅单晶衬底
导电型碳化硅衬底材料多用于同质外延,制备功率半导体器件,在以电动汽车为代表的新能源以及光伏,风力发电领域广泛应用。
目前公司的6&8英寸产品稳定交付全球量产级客户,同时具备12英寸衬底产品的生产能力。

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基本信息

6英寸
  • 直径 150.0mm+0mm/-0.2mm
  • 表面取向 4°偏向±0.5°
  • 主参考边长度 47.5 mm ±1.5 mm
  • 主参考面取向 <1120>士1.0°
  • Notch取向 /
  • Notch角度 /
  • Notch深度 /
  • 副参考边
  • 厚度 350.0um士25.0um
  • 晶型 4H
  • 导电类型 n-type

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基本信息

8英寸
  • 直径 200.0mm+0mm/-0.5mm
  • 表面取向 4°偏向±0.5°
  • 主参考边长度 Notch
  • 主参考面取向 /
  • Notch取向 <1100>士1.0°
  • Notch角度 90°+5°/-1°
  • Notch深度 距边1mm+0.25mm/-0mm
  • 副参考边
  • 厚度 500.0um士25.0um
  • 晶型 4H
  • 导电类型 n-type

电力电子器件

通过在导电型碳化硅衬底上生长碳化硅外延层,制得碳化硅同质外延片,可进一步制成肖特基二极管、MOSFET、IGBT等功率器件,应用在新能源汽车,轨道交通以及大功率输电变电等领域。
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