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    SiC作为目前最成熟的宽禁带半导体材料,具有较宽的工作频带(0~400GHz),加之其优异的高温特性,高击穿电场,高热导率和电子饱和速率等特性,在微波通讯领域占有一席之地,是实现通讯器件的高效能、高机动、高波段和小型化最为核心的半导体材料,目前备受5G通讯的亲睐。
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