当前位置 首页半绝缘型 >
1 4
6英寸高纯半绝缘衬底材料
天岳自主研发的6英寸半绝缘型碳化硅衬底采用高纯工艺,电阻率≥1E8 Ω·cm,衬底MPD缺陷≤5个/cm2 ,且衬底采用单定位边的加工模式。(*Notch型加工需求请咨询销售团队) +参数下载
    SiC作为目前最成熟的宽禁带半导体材料,具有较宽的工作频带(0~400GHz),加之其优异的高温特性,高击穿电场,高热导率和电子饱和速率等特性,在微波通讯领域占有一席之地,是实现通讯器件的高效能、高机动、高波段和小型化最为核心的半导体材料,目前备受5G通讯的亲睐。
天岳其他产品
电话:0531-85978212 传真:0531-85978212 邮箱:sales@sicc.cc    service@sicc.cc
地址:中国山东省济南市槐荫工业园区天岳南路99号 鲁ICP备11002960号-1
Top