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4英寸高纯半绝缘衬底材料
山东天岳于2017年自主开发了全新的高纯半绝缘衬底材料,替代了传统的钒掺杂工艺。新产品电阻率可突破1E11,且完全可控。目前量产产品以4英寸为主,2/3/6寸的生产情况和样品供应欢迎联系我们。 +参数下载
    SiC作为一种宽带隙的半导体材料,同时还具有较宽的工作频带,(0~400GHz),加之其优异的高温特性,高击穿电场,高热导率和电子饱和速率等特性,在微波通讯领域也占有一席之地。实现了通讯器件的高效能,高机动,高波段和小型化的,特别是在X波段以上的T/R组件,5G通讯基站中的应用备受关注。
    4英寸高纯半绝缘衬底材料细节
    新产品电阻率可突破1E11,且完全可控。目前量产产品以4英寸为主,2/3/6寸的生产情况和样品供应
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